HY27SF081G2A-FPIB

HY27SF081G2A-FPIB 技術(shù)參數(shù)：制造廠商：HYNIX 產(chǎn)品類別：NAND FLASH 工作電壓：1.8V 工作溫度：存儲介質(zhì)類別： I/O接口位寬: x 8bit 存儲密度：損壞區(qū)塊： 芯片版本：芯片特征： 封裝類型：BGA 封裝材料： 無鉛包裝：TRAY Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。 NAND 與nor flash 性能比較： flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何 flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行，NAND器件執(zhí)行擦除 操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前 先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為1。 　　由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s ，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進 行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。 　　執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時）， 更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。