參數(shù)資料
型號(hào)： SUM60P05-11LT
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
中文描述： P通道55 - V的檢測(cè)二極管（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： SUM60P05-11LT
SUM60P05-11LT
Vishay Siliconix
Document Number: 71748
S-05060
—
Rev. A, 12-Nov-01
www.vishay.com
3
0
2000
4000
6000
8000
0
11
22
33
44
55
0
4
8
12
16
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0
50
100
150
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60
80
100
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20
40
60
80
100
120
0.000
0.006
0.012
0.018
0.024
0.030
0
20
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60
80
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120
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50
100
150
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5
6
7
8
0
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80
120
160
200
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
g
f
25 C
125 C
3 V
T
C
=
–
55 C
V
GS
= 30 V
I
D
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
=
–
55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM65N20-30 Power MOSFET
SUM70N04-07L N-Channel 40-V (D-S) 175ºC MOSFET
SUM75N06-09L 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SUM85N03-07P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUP40N10-30 N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM60P05-11LT-E3 功能描述:MOSFET 55V 60A 200W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM60UF 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM60UF_1 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM60UFSMS 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM65N20-30 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
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