參數(shù)資料
型號(hào)： SUM40N02-12P
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）175C MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
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代理商： SUM40N02-12P
SUM40N02-12P
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72111
S-42351—Rev. D, 20-Dec-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0
20
22
24
26
28
30
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
Junction Temperature ( C)
(
V
(
I
D
= 250 A
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM40N02 N-Channel 20-V (D-S), 175∑C MOSFET
SUM40N02-09P N-Channel 20-V (D-S), 175∑C MOSFET
SUM40N03-30L-E3 N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM40N03-30L N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM47N10-24L-E3 N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM40N02-12P_06 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S), 175Celsius MOSFET
SUM40N02-12P-E3 功能描述:MOSFET 20V 40A 83W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM40N03-30L 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM40N03-30L-E3 功能描述:MOSFET 30V 40A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM40N05-19L 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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