參數資料
型號: SUB85N10-10
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
中文描述: N溝道100 -五(副)175 MOSFET的
文件頁數: 4/5頁
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代理商: SUB85N10-10
SUP/SUB85N10-10
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 71141
S-00172—Rev. A, 14-Feb-00
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Avalanche Current vs. Time
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
r
D
)
0
90
100
110
120
130
140
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
– Junction Temperature ( C)
t
in
(Sec)
1000
10
0.00001
0.001
0.1
1
0.1
(
I
D
0.01
I
AV
(A) @ T
A
= 150 C
(
V
(
I
D
= 250 A
100
1
0.0001
I
AV
(A) @ T
A
= 25 C
相關PDF資料
PDF描述
SUP85N15-21 N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90N06-05L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90P06-09L P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90P06-09L-E3 P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUPER1284 P/ACTIVE IEEE 1284 ECP/EPP TERMINATION NETWORK
相關代理商/技術參數
參數描述
SUB85N10-10-E3 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N10-10T4 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 85A 3PIN TO-263 - Rail/Tube
SUBA165 制造商:APart 功能描述:Bulk
SUBB330 功能描述:斷路器 208V 3 PHASE 30AMP TO USE W/SUDC208V RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Device Circuit Breakers 產品類型:Thermomagnetic 電流額定值:2 A 電壓額定值 AC:240 V, 277 V 電壓額定值 DC:50 V 極數:1 Pole 執(zhí)行器類型:Slide 電路功能:Trip Free 系列:CB TM1 工作溫度范圍:- 30 C to + 60 C 照明:No
SUBCON 15/F-SH 制造商:Phoenix Contact 功能描述:15 AWG#26 to 16 X(\Pbg) Bulk 制造商:Phoenix Contact 功能描述:Set