參數(shù)資料
型號(hào)： SUB85N10-10
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175 MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： SUB85N10-10
SUP/SUB85N10-10
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71141
S-00172—Rev. A, 14-Feb-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
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6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
g
f
25 C
–55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 50 V
I
D
= 85 A
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
I
D
– Drain Current (A)
5 V
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP85N15-21 N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90N06-05L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90P06-09L P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90P06-09L-E3 P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUPER1284 P/ACTIVE IEEE 1284 ECP/EPP TERMINATION NETWORK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUB85N10-10-E3 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N10-10T4 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 85A 3PIN TO-263 - Rail/Tube
SUBA165 制造商:APart 功能描述:Bulk
SUBB330 功能描述:斷路器 208V 3 PHASE 30AMP TO USE W/SUDC208V RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Device Circuit Breakers 產(chǎn)品類(lèi)型:Thermomagnetic 電流額定值:2 A 電壓額定值 AC:240 V, 277 V 電壓額定值 DC:50 V 極數(shù):1 Pole 執(zhí)行器類(lèi)型:Slide 電路功能:Trip Free 系列:CB TM1 工作溫度范圍:- 30 C to + 60 C 照明:No
SUBCON 15/F-SH 制造商:Phoenix Contact 功能描述:15 AWG#26 to 16 X(\Pbg) Bulk 制造商:Phoenix Contact 功能描述:Set
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