參數(shù)資料
型號(hào)： SUB85N04-04-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N通道40 - V（下副秘書長）175葷MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SUB85N04-04-E3
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix
Document Number: 71125
S-41261—Rev. C, 05-Jul-04
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
Ambient Temperature ( C)
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
N
T
10
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Single Pulse
0.05
0.02
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP85N04-04 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N10-10 N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
SUB85N10-10 N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
SUP85N15-21 N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
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SUB85N06-05-E3 功能描述:MOSFET 60V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N08-08 功能描述:MOSFET 75V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N08-08-E3 功能描述:MOSFET 75V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N10 10E3 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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