參數(shù)資料
型號： STW13NB60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強模式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： STW13NB60
THERMAL DATA
TO-247
ISOWATT218
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
0.66
1.56
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
30
0.1
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
13
A
E
AS
700
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
600
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
1
50
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V I
D
= 6.5 A
0.48
0.54
I
D(on)
V
GS
= 10 V
13
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 6.5 A
8
12
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
2600
330
40
3390
429
52
pF
pF
pF
STW13NB60-STH13NB60FI
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STH15NB50FI N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
STW15NB50 N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
STH16NA40FI N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STW13NK100Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1000V - 0.56з - 13A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH⑩ PowerMOSFET
STW13NK50Z 功能描述:MOSFET 500V 0.40Ohm 11A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW13NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW13NK60Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
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