參數(shù)資料
型號(hào)： STP12NR20FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 7A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： STP12NR20FI
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
V
V
+
GT1
_
GT1
V
G
C
V
_
GT3
V
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
0
50
100
150
200
60Hz
50Hz
S
Time (cycles)
0
2
4
6
8
10
12
14
70
80
90
100
110
120
130
θ
= 90
θ
= 120
o
θ
= 150
θ
= 180
o
θ
= 60
o
θ
= 30
o
o
o
A
C
RMS On-State Current [A]
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
14
16
θ
= 90
o
θ
= 150
θ
= 120
o
θ
= 60
o
θ
= 30
o
θ
= 180
o
o
P
RMS On-State Current [A]
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
0
10
1
10
2
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
O
On-State Voltage [V]
10
1
10
Gate Current [mA]
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
V
GD
(0.2V)
I
G
25
℃
P
G(AV)
(0.5W)
P
GM
(5W)
V
GM
(10V)
G
3/5
Fig 1. Gate Characteristics
Fig 2. On-State Voltage
Fig 3. On State Current vs.
Maximum Power Dissipation
Fig 4. On State Current vs.
Allowable Case Temperature
Fig 5. Surge On-State Current Rating
( Non-Repetitive )
Fig 6. Gate Trigger Voltage vs.
Junction Temperature
θ
θ
2
π
π
360°
θ
: Conduction Angle
θ
θ
2
π
π
360°
θ
: Conduction Angle
STP12A60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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