參數(shù)資料
型號： STL34NF06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 34A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩II MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.024ohm - 34A條的PowerFLAT⑩低柵極電荷STripFET第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： STL34NF06
3/6
STL34NF06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
(3)
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
3. Current Limited by Wire Bonding is 20A
Test Conditions
V
DD
= 30V, I
D
= 17 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 48V, I
D
= 34 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
11
ns
t
r
Rise Time
50
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
32
43
nC
Gate-Source Charge
6.5
nC
Gate-Drain Charge
14.4
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30V, I
D
= 17A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-Off-Delay Time
27
ns
t
f
Fall Time
11
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
34
A
Source-drain Current (pulsed)
136
A
Forward On Voltage
I
SD
= 34 A, V
GS
= 0
I
SD
= 34 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 10V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.2
V
Reverse Recovery Time
63
ns
Reverse Recovery Charge
151
nC
Reverse Recovery Current
4.8
A
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PDF描述
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