參數(shù)資料
型號： STK12N06L
廠商： 意法半導體
英文描述： N - Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOS晶體管)
中文描述： ? -溝道增強型低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式低閾值功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 180K
代理商： STK12N06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 40 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 5 V
55
180
80
260
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
120
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
12
6
4
18
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
40
60
110
60
90
160
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
12
48
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 12 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, figure 5)
75
0.15
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas
Thermal Impedance
STK12N05L/STK12N06L
3/10
相關PDF資料
PDF描述
STK12N05L N - Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOS晶體管)
STK22N05 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STK22N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STL34NF06 N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 34A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩II MOSFET
STL72 MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STK13003 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A SOT-82 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
STK13003M 功能描述:數(shù)字總線開關 IC Hi Vltg Fast Switch NPN Pwr Transistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel
STK14C883N35 制造商:SIMTEK 功能描述:
STK14C88-3NF35 功能描述:NVRAM 32Kbx8 3.0-3.6V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
STK14C88-3NF35I 功能描述:NVRAM 32Kbx8 3.0-3.6V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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