參數(shù)資料
型號(hào)： STK12N06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOS晶體管)
中文描述： ? -溝道增強(qiáng)型低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式低閾值功率馬鞍山晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 180K
代理商： STK12N06L
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
3
80
0.7
275
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
12
A
E
AS
30
mJ
E
AR
7
mJ
I
AR
8
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
for
STK12N05L
for
STK12N06L
50
60
V
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
15 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 6 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
1
1.6
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
GS
= 5 V
0.115
0.15
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
15
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 6 A
4
8
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
350
150
50
500
200
80
pF
pF
pF
STK12N05L/STK12N06L
2/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STK12N05L N - Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOS晶體管)
STK22N05 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STK22N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STL34NF06 N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 34A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩II MOSFET
STL72 MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STK13003 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A SOT-82 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
STK13003M 功能描述:數(shù)字總線開(kāi)關(guān) IC Hi Vltg Fast Switch NPN Pwr Transistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開(kāi)關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel
STK14C883N35 制造商:SIMTEK 功能描述:
STK14C88-3NF35 功能描述:NVRAM 32Kbx8 3.0-3.6V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
STK14C88-3NF35I 功能描述:NVRAM 32Kbx8 3.0-3.6V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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