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參數(shù)資料
| 型號： | STK12N05L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N - Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | ? -溝道增強型低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式低閾值功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 180K |
| 代理商： | STK12N05L |
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STK12N05L/STK12N06L
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STK22N05 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STK22N06 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STL34NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 34A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩II MOSFET |
| STL72 | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STLC1502 | VOICE OVER IP PROCESSOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STK13003 | 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A SOT-82 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| STK13003M | 功能描述:數(shù)字總線開關(guān) IC Hi Vltg Fast Switch NPN Pwr Transistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel |
| STK14C883N35 | 制造商:SIMTEK 功能描述: |
| STK14C88-3NF35 | 功能描述:NVRAM 32Kbx8 3.0-3.6V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK14C88-3NF35I | 功能描述:NVRAM 32Kbx8 3.0-3.6V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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