參數(shù)資料
型號: STI5731
英文描述: DIODE TVS 30V 600W UNIDIR 5% SMB
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 350V五(巴西)總裁| 1A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商: STI5731
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STI5732 DIODE TVS 33V 600W UNIDIR 5% SMB
ST12007 TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-220AB
ST13008 3.3V Zero Delay Buffer
ST13009 Low-Cost 3.3V Zero Delay Buffer
STI13070 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STI5732 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB
STI5740 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220
STI5741 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
STI5742 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220
STI57N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube