參數(shù)資料
型號： STH18NB40FI
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道400V -0.19Ω- 18.4A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： STH18NB40FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 200 V I
D
= 9.2A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
27
14
35
20
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 320 V I
D
= 18.4 A V
GS
= 10 V
60
16
28.3
84
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 320 V I
D
= 18.4 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
13
15
27
18
21
35
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
18.4
73.6
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 18.4 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 18.4 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
C
480
5.5
23
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW18NB40-STH18NB40FI
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相關PDF資料
PDF描述
STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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STHS4257A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
STHS4257A1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
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參數(shù)描述
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