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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STH16NA40FI |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管) |
| 中文描述： | N溝道400V -0.21Ω- 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | STH16NA40FI |
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STW16NA40-STH16NA40FI
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW16NA40 | N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管) |
| STH18NB40FI | N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STH6N100FI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH6N100 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STHS4257L1 | IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識(shí)別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH17-0402 | 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:2" Probe Length, 0.158" dia.; Temperature Measuring Range:0C to 75C ;RoHS Compliant: Yes |
| STH17-0404 | 制造商:FW Bell 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:4" Probe Length, 0.158" dia. (incl. w/5170); Temperature Measuring Range:0 to 75C;RoHS Compliant: Yes |
| STH170N8F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STH175N4F6-2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STH175N4F6-6AG | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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