參數(shù)資料
型號： STH16NA40FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道400V -0.21Ω- 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： STH16NA40FI
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.7
5.3
0.185
0.209
D
2.2
2.6
0.087
0.102
E
0.4
0.8
0.016
0.031
F
1
1.4
0.039
0.055
F3
2
2.4
0.079
0.094
F4
3
3.4
0.118
0.134
G
10.9
0.429
H
15.3
15.9
0.602
0.626
L
19.7
20.3
0.776
0.779
L3
14.2
14.8
0.559
0.413
0.582
L4
34.6
1.362
L5
5.5
0.217
M
2
3
0.079
0.118
Dia
3.55
3.65
0.140
0.144
P025P
TO-247 MECHANICAL DATA
STW16NA40-STH16NA40FI
4/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW16NA40 N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
STH18NB40FI N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STHS4257L1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
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參數(shù)描述
STH17-0402 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:2" Probe Length, 0.158" dia.; Temperature Measuring Range:0C to 75C ;RoHS Compliant: Yes
STH17-0404 制造商:FW Bell 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:4" Probe Length, 0.158" dia. (incl. w/5170); Temperature Measuring Range:0 to 75C;RoHS Compliant: Yes
STH170N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH175N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH175N4F6-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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