參數(shù)資料
型號(hào)： STH16NA40FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道400V -0.21Ω- 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： STH16NA40FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 200 V I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 320 V I
D
= 16 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
20
18
25
24
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
380
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 320 V I
D
= 16 A V
GS
= 10 V
145
15
50
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 320 V I
D
= 16 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
25
20
45
35
25
60
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
16
64
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 16 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 16 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
550
9.6
35
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW16NA40-STH16NA40FI
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW16NA40 N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
STH18NB40FI N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STHS4257L1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識(shí)別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH17-0402 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:2" Probe Length, 0.158" dia.; Temperature Measuring Range:0C to 75C ;RoHS Compliant: Yes
STH17-0404 制造商:FW Bell 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:4" Probe Length, 0.158" dia. (incl. w/5170); Temperature Measuring Range:0 to 75C;RoHS Compliant: Yes
STH170N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH175N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH175N4F6-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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