參數(shù)資料
型號： STH16NA40FI
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道400V -0.21Ω- 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： STH16NA40FI
THERMAL DATA
TO-247
ISOWATT218
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
0.69
1.78
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
30
0.1
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
16
A
E
AS
435
mJ
E
AR
23
mJ
I
AR
10
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
400
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8 T
c
= 100
o
C
25
250
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V I
D
= 8 A
V
GS
= 10V I
D
= 8 A T
c
= 100
o
C
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
0.21
0.3
0.6
A
I
D(on)
On State Drain Current
16
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 8 A
9
12
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
2600
390
120
3500
540
160
pF
pF
pF
STW16NA40-STH16NA40FI
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW16NA40 N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
STH18NB40FI N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
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STH6N100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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