參數(shù)資料
型號： STH15NA50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 242K
代理商： STH15NA50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 225 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 400 V
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V
24
37
34
50
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
225
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
110
15
55
140
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
25
17
45
35
24
60
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
14.6
58.4
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 15 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 15 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
640
12.8
40
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-218 and TO-247
Safe Operating Areas For ISOWATT218
STH15NA50/FI - STW15NA50
3/11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW15NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STH15NB50FI N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
STW15NB50 N-Channel 500V-0.33Ω-14.6A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOS Transistors(Ｎ溝道ＭＯＳＦＥＴ)
STH16NA40FI N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
STW16NA40 N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH15NA50FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH15NB50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
STH15NB50FI 功能描述:MOSFET N-CH500V 10.5A ISOWATT218 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STH16002 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC
STH16002A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC
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