參數(shù)資料
型號： STGP7NC60H
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第14A - 600V的TO-220/DPAK IGBT的非?？霵owerMESH
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 367K
代理商： STGP7NC60H
STGP7NC60H - STGD7NC60H
8/12
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
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0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
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0.066
0.027
0.620
0.409
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0.202
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0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP7NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60K 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGPL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 600V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGPL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 600 V - 6 A Hyper fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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