參數(shù)資料
型號(hào)： STGP7NC60H
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第14A - 600V的TO-220/DPAK IGBT的非常快PowerMESH
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： STGP7NC60H
STGP7NC60H - STGD7NC60H
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
( )
Pulse width limited by max. junction temperature.
Table 4: Thermal Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: Main Parameters
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
GE(th)
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A, Tc= 125
°
C
(#) Calculated according to the iterative formula:
Parameter
Value
Unit
TO-220
DPAK
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
TOT
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
600
V
Emitter-Collector Voltage
20
V
Gate-Emitter Voltage
±20
V
Collector Current (continuous) at T
C
= 25
°
C (#)
Collector Current (continuous) at T
C
= 100
°
C (#)
Collector Current (pulsed)
25
A
14
A
50
A
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
80
70
W
0.64
0.56
W/
°
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
–
55 to 150
°
C
Operating Junction Temperature
Min.
Typ.
Max.
1.56
1.78
62.5
100
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
TO-220
DPAK
TO-220
DPAK
TO-220
DPAK
°
C/W
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient
°
C/W
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purpose (1.6 mm from case, for 10 sec.)
300
275
°
C
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25
°
C
10
1
μA
mA
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
±100
nA
3.75
5.75
V
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A
1.85
1.7
2.5
V
V
ICTC
)
–
C
–
)
TCIC
(
)
×
RTHJ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP7NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60K 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGPL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 600V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGPL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 600 V - 6 A Hyper fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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