參數(shù)資料
型號(hào): STGD7NC60HT4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述: N溝道第14A - 600V的TO-220/DPAK IGBT的非??霵owerMESH
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 367K
代理商: STGD7NC60HT4
9/12
STGP7NC60H - STGD7NC60H
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.213
C
0.45
0.60
0.018
0.024
C2
0.48
0.60
0.019
0.024
D
6.00
6.20
0.236
0.244
E
6.40
6.60
0.252
0.260
G
4.40
4.60
0.173
0.181
H
9.35
10.10
0.368
0.398
L2
0.8
0.031
L4
0.60
1.00
0.024
0.039
V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
STGD8NC60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
STGD8NC60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD8NC60KT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGDL6NC60D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 6 A hyper fast IGBT