參數(shù)資料
型號： STGD7NC60HT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第14A - 600V的TO-220/DPAK IGBT的非常快PowerMESH
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： STGD7NC60HT4
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STGP7NC60H - STGD7NC60H
Figure 19: Test Circuit for Inductive Load
Switching
Figure 20: Switching Waveforms
Figure 21: Gate Charge Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
STGD8NC60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
STGD8NC60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD8NC60KT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGDL6NC60D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 6 A hyper fast IGBT
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