參數(shù)資料
型號： STGD6NC60HD
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道6A條- 600V的DPAK封裝IGBT的非?？霵owerMESH
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： STGD6NC60HD
STGD6NC60HD
8/9
Table 11: Revision History
Date
Revision
Description of Changes
14-Jun-2005
1
First release
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD7NC60HT4 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD6NC60HD_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
STGD6NC60HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD6NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB120S-1 功能描述:IGBT 晶體管 N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK POWERMESH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB120S-1_0008 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT
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