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參數資料
| 型號： | STFLWARP20 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | AB 7C 7#16S PIN RECP RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | 8位模糊協(xié)處理器 |
| 文件頁數： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | STFLWARP20 |
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Symbol
V
DD
I
DD
I
OL
I
OH
T
OPT
Parameter
Value
-0.5 to 7
50
+24
-12
0 to +70
Unit
V
mA
mA
mA
°
C
Supply Voltage
Supply Current
Output Sink Peak Current
Output Source Peak Current
Operating Temperature
ABSOLUTEMAXIMUM RATINGS
Note:
Stresses above those listed in the Table ”Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only and operation of the device at these or any other conditionsabove those indicated inthe Operating
sections of thisspecification is not implied. Exposure to Absolute MaximumRating conditions forextended periods may affect
device reliability. Refer also to the SGS-THOMSON SURE Program and other relevant quality documents.
Symbol
V
DD
V
I
V
O
t
IR(2)
t
IF
Parameter
Min
4.75
0
0
Typ
5.0
Max
5.25
V
DD
V
DD
40
40
Unit
V
V
V
ns
ns
Supply Voltage
Input Voltage
Ouput Voltage
Input Rise Time
Input FallTime
(2)
Table 7. RecommendedOperationConditions (1)
Symbol
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
T+
V
T-
I
IL(1)
I
IH(1)
I
IL(2)
I
IH(2)
I
OL
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
0.8
Unit
V
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
μ
A
μ
A
Low Level Input Voltage
High Level Input Voltage
Low Level Output Voltage
High Level Output Voltage
Schmitt trig. +ve Threshold
Schmitt trig. - ve Threshold
Low Level LeakageInput Current
High Level Leakage Input Current
Low Level Input Current
High Level Input Current
Tri-State Output Leakage Current
2.0
0.2
3.4
0.8
2.0
-1
+4
0.4
2.4
see fig. 14
see fig. 14
V
I
=V
SS(3)
V
I
=V
DD(3)
V
I
=V
SS(3)
V
I
=V
DD(3)
V
O
=V
SS
or V
DD
-2
100
160
±
10
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
DD
= 5V
±
5% T
A
= 0 to +70
°
C unless otherwisespecified.
Notes: 1. Operating Condition: V
DD
=5V
±
5%-T
A
=0
°
C to70
°
C, unless otherwise specified.
2. See fig. 22.
Notes: 1. All inputs with the except ofOEand TEST.
2. Only OE and TEST inputs.
3. I
OH
= -400
μ
A, I
OL
= +16mA, T = +25
°
C.
14/28
W.A.R.P.2.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STFLWARP20PL | AB 7C 7#16S PIN RECP |
| STG8207 | Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
| STGB20NB41LZ | N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| STGB20NB41LZT4 | N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| STGD6NC60HD | N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STFLWARP20/PL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| STFLWARP20L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:ADAPTIVE FUZZY MODELLER |
| STFLWARP20PL | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8-BIT FUZZY CO-PROCESSOR |
| STFN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.039W - 4A SOT23-6L STripFET II POWER MOSFET |
| STFN42 | 功能描述:TRANSISTOR PLANAR BIPO SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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