參數(shù)資料
型號： STE38NB50
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 500V-0.11Ω-38A- ISOTOP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道500V -0.11Ω- 38A條，1000V的集電極PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STE38NB50
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.31
30
0.1
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
38
A
E
AS
1200
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
500
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
30 V
10
100
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
3
4
5
V
V
GS
= 10 V I
D
= 19 A
0.11
0.13
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
38
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 19 A
18
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
7000
950
80
9100
1235
104
pF
pF
pF
STE38NB50
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相關PDF資料
PDF描述
STE40NK90ZD N-CHANNEL 900V - 0.14 - 40 A ISOTOP Super FREDMeshTM MOSFET
STE70NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
STE70NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh Power MOSFET
STF11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STE400 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Fittings Connector 4inch Male Aluminum
STE4000-25T4MI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號:T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE400-100T4KI 制造商:Vishay Sprague 功能描述:SUPER-TAN LW ESR 400UF 100VDC 10% INSULATED - Bulk
STE400-100T4MI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 100volts 400uF 20% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號:T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
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