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參數(shù)資料
| 型號： | SST26WF032-80-4I-QAE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 |
| 文件頁數(shù)： | 24/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1339K |
| 代理商： | SST26WF032-80-4I-QAE |
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2010 Silicon Storage Technology, Inc.
S71409-01-000
01/10
30
1.8V Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory
SST26WF032
Advance Information
DC Characteristics
Table 12: DC Operating Characteristics (VDD = 1.65 - 1.95V)
Symbol
Parameter
Limits
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
IDDR
Read Current
12
18
mA
VDD=VDD Min,
CE#=0.1 VDD/0.9 VDD@80 MHz,
SO=open
IDDW
Program and Erase Current
30
mA
CE#=VDD
ISB1
Standby Current
8
25
A
CE#=VDD, VIN=VDD or VSS
ILI
Input Leakage Current
1
A
VIN=GND to VDD, VDD=VDD Max
ILO
Output Leakage Current
1
A
VOUT=GND to VDD, VDD=VDD Max
VIL
Input Low Voltage
0.3
V
VDD=VDD Min
VIH
Input High Voltage
0.7 VDD
VVDD=VDD Max
VOL
Output Low Voltage
0.2
V
IOL=100 A, VDD=VDD Min
VOH
Output High Voltage
VDD-0.2
V
IOH=-100 A, VDD=VDD Min
T12.0 1409
Table 13: Capacitance (TA = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
COUT1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Output Pin Capacitance
VOUT = 0V
12 pF
CIN1
Input Capacitance
VIN = 0V
6 pF
T13.0 1409
Table 14: Reliability Characteristics
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
NEND1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Endurance
10,000
Cycles
JEDEC Standard A117
TDR1
Data Retention
100
Years
JEDEC Standard A103
ILTH1
Latch Up
100 + IDD
mA
JEDEC Standard 78
T14.0 1409
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST48CF048-C1 | 24M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 100 ns, XMA50 |
| SST49LF008C-33-4C-NHE | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PQCC32 |
| SSU-131MAT | SLIDE SWITCH, SP3T, LATCHED, 0.3A, 4VDC, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
| SSU-121ART | SLIDE SWITCH, SPDT, LATCHED, 0.3A, 4VDC, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
| SSW-102-22-F-D-VS | 4 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT, SOCKET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST26WF032-80-4I-QAE-T | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:1.65 TO 1.95V 32MBIT SERIAL QUAD I/O FLASH - Tape and Reel |
| SST26WF032-80-4I-S2AE | 功能描述:閃存 1.65 to 1.95V 32Mbit Serial Quad I/O Flsh RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST26WF032-80-4I-S2AE-T | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:1.65 TO 1.95V 32MBIT SERIAL QUAD I/O FLASH - Tape and Reel |
| SST270 | 功能描述:JFET 45V 2mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST270-E3 | 功能描述:JFET 45V 2mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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