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STULN2003

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  • STULN2003
    STULN2003

    STULN2003

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • ST

  • DIP-16

  • 13+

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  • STULN2003
    STULN2003

    STULN2003

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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    STULN2003

    STULN2003

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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STULN2003 技術參數(shù)
  • STULED656 功能描述:MOSFET N-CH 650V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:895pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STUDIO-30630-EVB 功能描述:ICM-30630 FireFly Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer Sensor Evaluation Board 制造商:invensense 系列:FireFly 零件狀態(tài):有效 傳感器類型:加速計，陀螺儀，磁力計 感應范圍:- 接口:I2C，SPI 靈敏度:- 電壓 - 電源:- 嵌入式:否 所含物品:2 個板 使用的 IC/零件:ICM-30630 標準包裝:1 STU9N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251） 標準包裝:75 STU9N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251） 標準包裝:75 STU9HN65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:820 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STUSB1600QTR STUSB1602AQTR STUSB1602QTR STUSB4700QTR STUSB4710AQTR STUSB4710QTR STUSBCD01BJR STV0674T100 STV0684 STV08 STV0974E/TR STV0976 STV160NF02LAT4 STV160NF02LT4 STV160NF03LAT4 STV160NF03LT4 STV200N55F3 STV2050A
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