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STP10810

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  • STP10810
    STP10810

    STP10810

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 13740

  • ST

  • TO-220

  • 24+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)

  • STP10810
    STP10810

    STP10810

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STP10810
    STP10810

    STP10810

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • ST

  • TO-220

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • STP10810IC
    STP10810IC

    STP10810IC

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：汪小姐

    電話：19240207240

    地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8960

  • ST/意法

  • TO-220

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 品質(zhì)保障 可開13點(diǎn)發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
STP10810 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STP10810 技術(shù)參數(shù)
  • STP105N3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:42nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP100NF04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP100N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5955pF @ 25V 功率 - 最大值:176W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP100N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1980pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP100N10F7 功能描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4369pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP10NK70Z STP10NK70ZFP STP10NK80Z STP10NK80ZFP STP10NM50N STP10NM60N STP10NM60ND STP10NM65N STP10P6F6 STP110N10F7 STP110N55F6 STP110N7F6 STP110N8F6 STP110N8F7 STP11N52K3 STP11N60DM2 STP11N65M2 STP11N65M5
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