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PMN48XP,125

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  • PMN48XP,125
    PMN48XP,125

    PMN48XP,125

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 8435

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 22+

  • -

  • 可訂貨，請(qǐng)確認(rèn)

  • PMN48XP,125
    PMN48XP,125

    PMN48XP,125

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SC-74

  • 新年份

  • -

  • 一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

  • PMN48XP,125
    PMN48XP,125

    PMN48XP,125

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 6000

  • NEXPERIA

  • 價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 2331

  • -

  • 全新原裝渠道現(xiàn)貨

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  • 1
PMN48XP,125 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PMN48XP,125 技術(shù)參數(shù)
  • PMN48XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.1A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN45EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN42XPEAH 功能描述:PMN42XPEA SOT457 SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），8.33W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN42XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），8.33W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN40UPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），8.33W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K
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