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優(yōu)勢(shì)
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
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聯(lián)系人：曹先生/周小姐/高先生
電話(huà)：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
3000
NXP
SOT-163
22+
-
授權(quán)代理直銷(xiāo),原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

PMN25UN
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話(huà)：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
NEXPERIA/安世
TSOP6
22+
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每一片都來(lái)自原廠(chǎng)，正品保證

PMN25UN
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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NEXPERIA
SOT-163
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PMN25UN,115
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話(huà)：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
82490
NXP
SC-74
新年份
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一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

PMN25UN,115
深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話(huà)：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
6-TSOP
18+
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MOSFET N-CH 20V 6A 6...

PMN25UN
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
115
9745
1521+
NXP SEMIC
-
REEL

PMN25UN,115
甄芯網(wǎng)
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聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話(huà)：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門(mén)市部：中航路都會(huì)電子3C002B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3200
NXP
TSOP6
12+
-
現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)庫(kù)存可大量供貨

PMN25UN
北京力通科信電子有限公司
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聯(lián)系人：韓小姐
電話(huà)：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)
340
NXP
1710+
TSOP6
-
1元原裝現(xiàn)貨13661385246

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深圳市澤芯微科技有限公司
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聯(lián)系人：柯小姐
電話(huà)：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國(guó)利大廈A座24層12室
3000
nxp
sot-163
14+pbf
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原裝現(xiàn)貨

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 20V 6A SOT457
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 20V, 6A, SOT457
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 20V, 6A, SOT457; Transistor Polarity

PMN25UN 技術(shù)參數(shù)

PMN25EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 6.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:492pF @ 15V 功率 - 最大值:540mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN23UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN22XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:585pF @ 15V 功率 - 最大值:545mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN20EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.7A（Tj）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:545mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN16XNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.9A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 6.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN30UNX PMN30XPX PMN34LN,135 PMN34UN,135 PMN34UP,115 PMN35EN,115 PMN35EN,125 PMN38EN,135 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165

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