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參數(shù)資料
| 型號： | UNR1210(UN1210) |
| 英文描述： | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | UNR1210(UN1210) |
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2003 SEP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR1211(UN1211) | POWER SCHOTTKY RECTIFIERS |
| UNR1212(UN1212) | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| UNR1213(UN1213) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1219(UN1219) | HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER |
| UNR121D(UN121D) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN, PNP epitaxial planar type (Tr1,2) |
| UNR1211(UN1211) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1212 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR1212(UN1212) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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