精品国产一区黄区,久久国产精品一二三四区日韩

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深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
TO220
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

PHP45NQ10TA
深圳市煌盛達(dá)科技有限公司
深圳市煌盛達(dá)科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13823538694
地址：平湖華南城華利嘉
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
12000
PHILIPS
原廠原封裝
20+
-
原裝庫存，全新進(jìn)口，可電13689551...

PHP45NQ10TA
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NXP
TO-220
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PHP45NQ10TA
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
17948
NXP/恩智浦
TO220AB
22+
-

PHP45NQ10TA
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
NXP
TO220
15+
-
原裝正品，假一罰十

PHP45NQ10TA
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
PHILIPS
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PHP45NQ10TA,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 100V 47A...

PHP45NQ10TA
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7465
NXP
TO220
1001+
-
全新原裝現(xiàn)貨

PHP45NQ10TA
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

PHP45NQ10TA
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯(lián)系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
998
philps
to-220
06+
-
原裝現(xiàn)貨

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PHP45NQ10TA 技術(shù)參數(shù)

PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:43.4A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP33NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32.7A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:77 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP30NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:29A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP29N08T,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:11V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 14A，11V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP63NQ03LT,127 PHP66NQ03LT,127 PHP71NQ03LT,127 PHP73N06T,127 PHP75NQ08T,127 PHP78NQ03LT,127 PHP79NQ08LT,127 PHP8.4 PHP83N03LT,127 PHP96NQ03LT,127 PHP9NQ20T,127 PH-PCBA1 PH-PCBA2 PHPF19005BK2 PHPF19005CG2 PHPF19005LG2 PHPF19008BK2 PHPF19008CG2

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