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JAN1N4976US

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JAN1N4976US
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  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5800

  • SEMTECH（美國(guó)）

  • 56V ZENER 500W

  • 1722+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • JAN1N4976US
    JAN1N4976US

    JAN1N4976US

  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
    廣東濟(jì)德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓

  • 100

  • SEMTECH

  • NA

  • 25+

  • -

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 56V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 56V 5W
JAN1N4976US 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4976DUS 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4976D 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4976CUS 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4976C 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4976 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±5% Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4978D JAN1N4978DUS JAN1N4978US JAN1N4979 JAN1N4979C JAN1N4979CUS JAN1N4979D JAN1N4979DUS JAN1N4979US JAN1N4980 JAN1N4980C JAN1N4980CUS JAN1N4980D JAN1N4980DUS JAN1N4980US JAN1N4981 JAN1N4981C JAN1N4981CUS
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