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CPC4R7C

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  • 型號(hào)
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  • CPC4R7C
    CPC4R7C

    CPC4R7C

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 56791

  • Cornell Dubilier Electron

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
CPC4R7C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 瓷片電容器 CER DISC 1000V 4.7PF
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay/Cera-Mite
  • 電容
  • 0.01 uF
  • 容差
  • 20 %
  • 電壓額定值
  • 3 kV
  • 工作溫度范圍
  • - 25 C to + 105 C
  • 損耗因數(shù) DF
  • 端接類型
  • Radial
  • 產(chǎn)品
  • High Voltage Ceramic Disc Capacitors
CPC4R7C 技術(shù)參數(shù)
  • CPC44055ST 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP 制造商:ixys integrated circuits division 系列:CPC 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 電路:SPST-NO（1 A 形） 輸出類型:AC，過零 導(dǎo)通電阻（最大值）:- 負(fù)載電流:5A 電壓 - 輸入:9 ~ 16VDC 電壓 - 負(fù)載:0 ~ 800 V 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 封裝/外殼:4-SIP 供應(yīng)商器件封裝:4-SIP 繼電器類型:繼電器 標(biāo)準(zhǔn)包裝:13 CPC40055ST 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP 制造商:ixys integrated circuits division 系列:CPC 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 電路:SPST-NO（1 A 形） 輸出類型:AC，過零 導(dǎo)通電阻（最大值）:- 負(fù)載電流:5A 電壓 - 輸入:1.2VDC 電壓 - 負(fù)載:0 ~ 800 V 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 封裝/外殼:4-SIP 供應(yīng)商器件封裝:4-SIP 繼電器類型:繼電器 標(biāo)準(zhǔn)包裝:13 CPC3982TTR 功能描述:MOSFET N-CH 800V SOT-23 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 歐姆 @ 20mA， 0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC3980ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 800V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 100mA， 0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC3960ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 600V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:44 歐姆 @ 100mA， 0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A CPC5620ATR CPC5621A CPC5621ATR CPC5621-EVAL-CDL CPC5621-EVAL-RDL CPC5622A CPC5622ATR CPC5622-EVAL-600R CPC5622-EVAL-EUR
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