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C2M0160120D

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
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  • 操作
  • C2M0160120D
    C2M0160120D

    C2M0160120D

    優(yōu)勢(shì)
  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

    電話(huà)：13661385246

    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)

  • 2500

  • 原廠(chǎng)

  • SMD

  • 18+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨原裝庫(kù)存，13661385246

  • C2M0160120D
    C2M0160120D

    C2M0160120D

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話(huà)010-62...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共26條 
  • 1
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  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • SIC MOSFET N-CH 1.2KV 17.7A
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
C2M0160120D 技術(shù)參數(shù)
  • C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0045170D 功能描述:MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 18mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:188nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3672pF @ 1kV 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0040120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:115nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1893pF @ 1000V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0025120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:161nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2LG6-F 功能描述:DUCT COVER W/PROTECTIVE FILM 6' 制造商:panduit corp 系列:PANDUCT? C 型 零件狀態(tài):有效 配件類(lèi)型:外蓋 - 線(xiàn)槽，咬接式，帶保護(hù)膜 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:Panduit 線(xiàn)槽- 開(kāi)槽式，實(shí)心式和圓孔式 - D2X，E2X，F(xiàn)2X，F(xiàn)S2X，G2X 和 S2X 高度:0.350"（8.89mm） 寬度:2.250"（57.15mm） 長(zhǎng)度:6.00'（1.83m） 顏色:淺灰 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 C2PC,BK C2PC,GY C2PXG-1406G C2PXG-1406M C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M
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