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BUK794R1-40BT
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
PHI
TO-220-
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

BUK794R1-40BT
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
14338
NXP
TO-220
2025+
-
代理商庫(kù)房現(xiàn)貨

BUK794R1-40BT
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
14955
NXP/恩智浦
TO-220-5
22+
-

BUK794R1-40BT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
NXP
TO-220
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào).原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BUK794R1-40BT
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
PH
SOT263/TO-220AB
06+07+pb-f
-
假一罰十，百分百原裝正品

BUK794R1-40BT
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
PH
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

BUK794R1-40BT,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
TO-220-5
18+
-
MOSFET N-CH 40V 75A ...

BUK794R1-40BT
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯(lián)系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國(guó)利大廈A座24層12室
940
nxp
to-220
06+
-
原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET TRENCHPLUS MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK794R1-40BT 技術(shù)參數(shù)

BUK7909-75ATE,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:121nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 25V FET 功能:溫度檢測(cè)二極管功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7909-75AIE,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:121nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 25V FET 功能:電流感測(cè) 功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7908-40AIE,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:84nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3140pF @ 25V FET 功能:電流感測(cè) 功率耗散（最大值）:221W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7907-55ATE,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:116nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4500pF @ 25V FET 功能:溫度檢測(cè)二極管功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7907-55AIE,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:116nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7C3R8-80EJ BUK7C4R5-100EJ BUK7C5R4-100EJ BUK7D25-40EX BUK7E04-40A,127 BUK7E07-55B,127 BUK7E11-55B,127 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 BUK7E2R3-40C,127 BUK7E2R3-40E,127 BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R7-30B,127 BUK7E3R1-40E,127 BUK7E3R5-60E,127 BUK7E4R0-80E,127

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