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BSS192PL6327XT

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  • BSS192PL6327XT
    BSS192PL6327XT

    BSS192PL6327XT

  • 深圳市源運(yùn)電子商行
    深圳市源運(yùn)電子商行

    聯(lián)系人：林先生

    電話(huà)：15913992480

    地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 1000

  • Infineon

  • 16+

  • -

  • BSS192PL6327XT
    BSS192PL6327XT

    BSS192PL6327XT

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話(huà)：0755-82552857-80913528851884（周日專(zhuān)線(xiàn)）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • Infineon

  • 原廠原裝

  • 1716+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷(xiāo)庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
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BSS192PL6327XT 技術(shù)參數(shù)
  • BSS192PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327
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