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BSP312

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  • BSP312P
    BSP312P

    BSP312P

  • 深圳市源運(yùn)電子商行
    深圳市源運(yùn)電子商行

    聯(lián)系人：林先生

    電話：15913992480

    地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 15000

  • INF

  • SOT223

  • 16+

  • -

  • BSP312
    BSP312

    BSP312

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SIEMENS

  • SOT-223

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSP312
    BSP312

    BSP312

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NULL

  • 原廠封裝

  • 09/10+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共18條 
  • 1
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BSP312 技術(shù)參數(shù)
  • BSP31,115 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 基本零件編號(hào):BSP31 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP304A,126 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.55V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BSP300L6327HUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP300H6327XUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP300 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP318SL6327HTSA1 BSP32,115 BSP3-208/240 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433 BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6433XTMA1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1
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