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BSC22DN20NS3G

BSC22DN20NS3GATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業(yè)執(zhí)照
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北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
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聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
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晶體管

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天陽誠業(yè)科貿有限公司
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聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
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BSC22DN20NS3GATMA1
廣東濟德精密電子有限公司
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聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓
100
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NA
23+
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現貨！就到京北通宇商城

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業(yè)執(zhí)照
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晶體管

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深圳市英科美電子有限公司
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聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TDSON-8
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每一片都來自原廠，正品保證

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
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現貨常備京北通宇商城可查價格

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業(yè)執(zhí)照
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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TDSON-8
最新批號
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一級代理.原裝特價現貨！

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
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全新原裝現貨

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科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
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價格優(yōu)勢
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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

BSC22DN20NS3G 技術參數

BSC22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC205N10LS G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 50V 功率 - 最大值:76W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC200P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.9A（Ta），12.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.6 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 42μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC190N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2420pF @ 75V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1

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