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BMS-873R_100MHZ

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  • BMS-873R_100MHZ
    BMS-873R_100MHZ

    BMS-873R_100MHZ

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Bubang

  • 7*5*1.7mm-RL

  • NA

  • -

  • 全新原裝！優(yōu)勢庫存熱賣中！

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BMS-873R_100MHZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BMS-873R_100MHZ 技術參數(shù)
  • BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:50 BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:68A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:78A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 BMVK160ADA4R7MD60G BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G
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