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AUIRL7766M2

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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AUIRL7766M2 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRL7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:179A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 67A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:78nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5055pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRL7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.6 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2020pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? SC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRL3705ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRL3705ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRL3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLR014N AUIRLR014NTRL AUIRLR024N AUIRLR024NTRL AUIRLR024Z AUIRLR024ZTRL AUIRLR120N AUIRLR120NTRL AUIRLR2703 AUIRLR2905 AUIRLR2905TRL AUIRLR2905Z AUIRLR2908 AUIRLR3105 AUIRLR3110Z AUIRLR3114Z AUIRLR3410 AUIRLR3410TR
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