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APTR3216CGCK

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  • APTR3216CGCK
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

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    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

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  • APTR3216CGCK
    APTR3216CGCK

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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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    聯(lián)系人：柯

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  • 北京力通科信電子有限公司
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  • 功能描述
  • 標準LED-SMD Green 570nm Water Clear 40mcd
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 封裝 / 箱體
  • 0402
  • LED 大小
  • 1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm
  • 照明顏色
  • Red
  • 波長/色溫
  • 631 nm
  • 透鏡顏色/類型
  • Water Clear
  • 正向電流
  • 30 mA
  • 正向電壓
  • 2 V
  • 光強度
  • 54 mcd
  • 顯示角
  • 130 deg
  • 系列
  • VLMx1500
  • 封裝
  • Reel
APTR3216CGCK 技術參數(shù)
  • APTML60U12R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 22.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTML602U12R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML50UM90R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:52A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:108 毫歐 @ 26A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTML502UM90R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:52A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:108 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML20UM18R010T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:109A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ APTS020A0X3-SRDZ APTS020A0X3-SRZ APTS020A0X43-SRZ APTS030A0X3-SRHZ
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