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APT60D100SG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT60D100SG
    APT60D100SG

    APT60D100SG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT60D100SG
    APT60D100SG

    APT60D100SG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • APT

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 08+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • APT60D100SG
    APT60D100SG

    APT60D100SG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • APT

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 08+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • APT60D100SG
    APT60D100SG

    APT60D100SG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 08+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
APT60D100SG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE ULT FAST 60A 1000V D3PAK
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 100
  • 系列
  • -
  • 二極管類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - (Vr)（最大）
  • 50V
  • 電流 - 平均整流 (Io)
  • 6A
  • 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）
  • 1.4V @ 6A
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 300ns
  • 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電
  • 15µA @ 50V
  • 電容@ Vr, F
  • -
  • 安裝類(lèi)型
  • 底座，接線柱安裝
  • 封裝/外殼
  • DO-203AA，DO-4，接線柱
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • DO-203AA
  • 包裝
  • 散裝
  • 其它名稱
  • *1N3879
APT60D100SG 技術(shù)參數(shù)
  • APT60D100LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:280ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60D100BG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:280ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT6040BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT6030BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 11.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG APT60DQ60BG APT60DS04HJ APT60DS10HJ APT60DS20HJ APT60GA60JD60 APT60GF120JRDQ3 APT60GF60JU2 APT60GF60JU3
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