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APT5014B2VFR

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  • APT5014B2VFR
    APT5014B2VFR

    APT5014B2VFR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT

  • T-MAX?[B2]

  • 08+

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • APT5014B2VFR
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人：劉先生

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • POWER MOS V FREDFET
APT5014B2VFR 技術參數
  • APT5012JN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:43A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 21.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT5010LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT5010LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT5010JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:312nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7410pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT5010JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:312nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7410pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J
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