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APT1201R2SLL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • APT1201R2SLL
    APT1201R2SLL

    APT1201R2SLL

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 12930

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2025+

  • -

  • 頂級(jí)代理商原裝現(xiàn)貨

  • APT1201R2SLL
    APT1201R2SLL

    APT1201R2SLL

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • APT1201R2SLL
    APT1201R2SLL

    APT1201R2SLL

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT1201R2SLL 技術(shù)參數(shù)
  • APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 7.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 7.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):44A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3V @ 15V，8A 功率 - 最大值:156W 開關(guān)能量:300μJ（開），285μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:65nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:7ns/100ns 測(cè)試條件:800V，8A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3V @ 15V，8A 功率 - 最大值:156W 開關(guān)能量:300μJ（開），285μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:65nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:7ns/100ns 測(cè)試條件:800V，8A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT11F80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:80nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2471pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:337W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ
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