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2SK2255-01MR

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  • 2SK2255-01MR
    2SK2255-01MR

    2SK2255-01MR

  • 深圳市華金瑞電子有限公司
    深圳市華金瑞電子有限公司

    聯(lián)系人：劉

    電話：15323844149

    地址：中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場(chǎng)

  • 820

  • FUJI

  • TO-220F原盒

  • 09PB

  • -

  • 100%原裝！優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

  • 2SK2255-01MR
    2SK2255-01MR

    2SK2255-01MR

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 283

  • FUJ/富士

  • TO-220F

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2SK2255-01MR
    2SK2255-01MR

    2SK2255-01MR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • T

  • TO

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SK2255-01MR
    2SK2255-01MR

    2SK2255-01MR

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • T

  • TO

  • 2015+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • FUJI
  • 制造商全稱(chēng)
  • Fuji Electric
  • 功能描述
  • N-channel MOS-FET
2SK2255-01MR 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2231(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2231(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2225-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 1A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:984.7pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3PFM，SC-93-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PFM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK221100L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:迷你型P3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803
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