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1SS362TE85L

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  • 1SS362TE85L
    1SS362TE85L

    1SS362TE85L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 876500

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • 1SS362TE85LF
    1SS362TE85LF

    1SS362TE85LF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 1SS362TE85LF
    1SS362TE85LF

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6202

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

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1SS362TE85L 技術(shù)參數(shù)
  • 1SS362FV,L3F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VESM 標準包裝:1 1SS361UDJ-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個獨立式 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:250mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.23V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-963 供應(yīng)商器件封裝:SOT-963 標準包裝:1 1SS361LPH4-7B 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:X2-DFN1006-2 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS361LP3-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.23V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:2-X3-DFN0603 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS361FV,L3F(T 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VESM 標準包裝:1 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF
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