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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL064JB0-07 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 193/196頁 |
| 文件大小： | 5729K |
| 代理商： | S71PL064JB0-07 |
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June 8, 2004 pSRAM_Type01_12_A0
pSRAM Type 1
193
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Low Power ICC Characteristics (32M)
Address Patterns for PAR (A3= 0, A4=1) (16M)
Address Patterns for RMS (A3 = 1, A4 = 1) (16M)
Low Power ICC Characteristics (16M)
Item
Symbol
Test
Array Partition
Typ
Max
Unit
PAR Mode Standby Current
I
PAR
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
1/4 Array
65
μA
1/2 Array
80
μA
RMS Mode Standby Current I
RMSSB
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
4Mb Device
40
μA
8Mb Device
50
μA
Deep Sleep Current
I
ZZ
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip in ZZ mode, t
A
= 85
o
C
10
μA
A2
A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
0
1
1
One-quarter of die
00000h - 0FFFFh
256Kb x 16
4Mb
0
1
0
One-half of die
00000h - 7FFFFh
512Kb x 16
8Mb
x
0
0
Full die
00000h - FFFFFh
1Mb x 16
162Mb
1
1
1
One-quarter of die
C0000h - FFFFh
256Kb x 16
4Mb
1
1
0
One-half of die
80000h - 1FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
A2
A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
0
1
1
One-quarter of die
00000h - 0FFFFh
256Kb x 16
4Mb
0
1
0
One-half of die
00000h - 7FFFFh
512Kb x 16
8Mb
1
1
1
One-quarter of die
C0000h - FFFFFh
256Kb x 16
4Mb
1
1
0
One-half of die
80000h - FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
Item
Symbol
Test
Array Partition
Typ
Max
Unit
PAR Mode Standby Current
I
PAR
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
1/4 Array
65
μA
1/2 Array
80
RMS Mode Standby Current
I
RMSSB
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
4Mb Device
40
μA
8Mb Device
50
Deep Sleep Current
I
ZZ
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip in ZZ# mode, t
A
= 85
o
C
10
μA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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