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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N11FAIV23 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 93/100頁 |
| 文件大小： | 952K |
| 代理商： | S29GL128N11FAIV23 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
91
D a t a S h e e t
Notes:
1.
2.
V
IO
< V
CC
+ 200 mV.
V
and V
ramp must be in sync during power up. If RESET# is not stable for 35 μs, the following conditions may occur: the device does
not permit any read and write operations, valid read operations return FFh, and a hardware reset is required.
Maximum V
CC
power up current is 20 mA (RESET# = V
IL
).
3.
Figure 22. Power-On Reset Timings
Table 19. Power-Up Sequence Timings
Parameter
Description
Speed
Unit
t
VCS
Reset Low Time from Rising Edge of V
CC
(or last Reset pulse) to Rising Edge
of RESET#
Min
35
μs
t
VIOS
Reset Low Time from Rising Edge of V
IO
(or last Reset pulse) to Rising Edge
of RESET#
Min
35
μs
t
RH
Reset High Time Before Read
Max
200
ns
CE#
RESET#
t
RH
V
Vcc_ min
V
Vio_ min
t
VCS
t
VIOS
CC
IO
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FFI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FFI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FFI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FFI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
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參數(shù)描述 |
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